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或Note6首發(fā) 三星256GB閃存現(xiàn)身官網(wǎng) 圖片

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2016-04-09 09:13

據(jù)之前的消息該芯片將搭載于三星Note6上?,F(xiàn)在,有關于這款閃存芯片的詳細信息已經(jīng)現(xiàn)身三星半導體官網(wǎng)。據(jù)稱該閃存芯片目前已經(jīng)成功流片,同時三星也正在加緊進行測試,相信距離大規(guī)模量產(chǎn)的時間不久了。

(原標題:或是Note6首發(fā) 三星256GB閃存現(xiàn)身官網(wǎng))

在今年2月份的時候三星發(fā)布了容量高達256GB的最新、最快UFS 2.0閃存芯片。據(jù)之前的消息該芯片將搭載于三星Note6上?,F(xiàn)在,有關于這款閃存芯片的詳細信息已經(jīng)現(xiàn)身三星半導體官網(wǎng)。據(jù)稱該閃存芯片目前已經(jīng)成功流片,同時三星也正在加緊進行測試,相信距離大規(guī)模量產(chǎn)的時間不久了。

或是Note6首發(fā) 三星256GB閃存現(xiàn)身官網(wǎng)

從三星半導體給出的信息來看,該芯片型號為KLUEG8U1EM-B0B1,封裝尺寸為11.5x13x1.2mm(僅比32GB閃存厚了0.2mm),MLC采用雙傳輸信道的G3 2Lane規(guī)格。得益于串行界面以及全雙工運行(可同時讀寫操作),三星官方宣稱這款256GB的UFS 2.0閃存芯片的持續(xù)讀、寫速度分別可達850MB/s、260MB/s,讀取速度比大多數(shù)電腦上的SATA SSD都要快。

或Note6首發(fā) 三星256GB閃存現(xiàn)身官網(wǎng)

同時該芯片的讀/寫操作IOPS分別可達45000、40000,比上一代UFS閃存快了一倍。根據(jù)三星半導體的消息,這款256GB USF 2.0閃存芯片未來將應用到智能手機、平板以及智能電視上,其中將在今年下半年發(fā)布的商務艦三星Galaxy Note6有望最先用上。


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